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MURS360T3G-ON

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MURS360T3G-ON 技術參數
  • MURS320TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A SMC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AB,SMC 供應商器件封裝:SMC(DO-214AB) 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 MURS120TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商器件封裝:SMB 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 MURF860 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):2.2V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 絕緣,TO-220AC 供應商器件封裝:ITO-220AC 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:50 MUR7020 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 70A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):70A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 70A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:25μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5 MUR5010R 功能描述:DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 電流 - 平均整流(Io):50A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 50A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:5 MURT10060 MURT10060R MURT20005 MURT20005R MURT20010 MURT20010R MURT20020 MURT20020R MURT20040 MURT20040R MURT20060 MURT20060R MURT30005 MURT30005R MURT30010 MURT30010R MURT30020 MURT30020R
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