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NANDBAR3N6AZPC5

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    NANDBAR3N6AZPC5E

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

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    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
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  • 北京元坤偉業科技有限公司
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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

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    資質：營業執照

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NANDBAR3N6AZPC5 技術參數
  • NANDAAR4N4AZBA5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 2G SDR NAND512W4A0AN6E 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel NAND512W3A2SZA6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:MICNAND512W3A2SZA6E 512MB NAND FLASH 制造商:Micron Technology 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 512Mbit 64M x 8bit 12us 63-Pin VFBGA Tray NAND512W3A2SN6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 NAND512W3A2SE06 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film NANO100LD2BN NANO100LD3BN NANO100LE3BN NANO100NC2BN NANO100ND2BN NANO100ND3BN NANO100NE3BN NANO100SC2BN NANO100SD2BN NANO100SD3BN NANO100SE3BN NANO102LB1AN NANO102LC2AN NANO102SC2AN NANO102ZB1AN NANO102ZC2AN NANO110KC2BN NANO110KD2BN
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