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NCP5106ADR2G.

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NCP5106ADR2G. PDF下載

制造商
ON Semiconductor
功能描述
IC DUAL IGBT DRIVER

NCP5106ADR2G. 技術參數

NCP5106ADR2G 功能描述:功率驅動器IC HIGH VOLT MOSFET DR LO MOSFET IGBT DRVR RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP5104PG 功能描述:功率驅動器IC NCP5104 RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP5104DR2G 功能描述:功率驅動器IC NCP5104 RoHS:否制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube NCP508SQ33T1G 功能描述:低壓差穩壓器 - LDO LDO RoHS:否制造商:Texas Instruments 最大輸入電壓:36 V 輸出電壓:1.4 V to 20.5 V 回動電壓（最大值）:307 mV 輸出電流:1 A 負載調節:0.3 % 輸出端數量: 輸出類型:Fixed 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VQFN-20 NCP508SQ30T1G 功能描述:低壓差穩壓器 - LDO LDO RoHS:否制造商:Texas Instruments 最大輸入電壓:36 V 輸出電壓:1.4 V to 20.5 V 回動電壓（最大值）:307 mV 輸出電流:1 A 負載調節:0.3 % 輸出端數量: 輸出類型:Fixed 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:VQFN-20 NCP5109BMNTWG NCP5111DR2G NCP5111PG NCP51145MNTAG NCP51145PDR2G NCP51190MNTAG NCP51198PDR2G NCP51199PDR2G NCP511SN15T1 NCP511SN15T1G NCP511SN18T1 NCP511SN18T1G NCP511SN25T1 NCP511SN25T1G NCP511SN27T1 NCP511SN27T1G NCP511SN28T1 NCP511SN28T1G