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NE6510179A-A

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功能描述
射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs HJFET
RoHS
否
制造商
TriQuint Semiconductor
技術類型
pHEMT
頻率
500 MHz to 3 GHz
增益
10 dB
噪聲系數
正向跨導 gFS（最大值/最小值）
4 S
漏源電壓 VDS
閘/源擊穿電壓
- 8 V
漏極連續電流
3 A
最大工作溫度
+ 150 C
功率耗散
10 W
安裝風格
封裝 / 箱體

NE6510179A-A 技術參數

NE592N8G 功能描述:視頻放大器 2 Stage Diff Output Wideband Video RoHS:否制造商:ON Semiconductor 通道數量:4 電源類型: 工作電源電壓:3.3 V, 5 V 電源電流: 最小工作溫度: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TSSOP-14 封裝:Reel NE592N8 功能描述:視頻放大器 2 Stage Diff Output RoHS:否制造商:ON Semiconductor 通道數量:4 電源類型: 工作電源電壓:3.3 V, 5 V 電源電流: 最小工作溫度: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TSSOP-14 封裝:Reel NE592N14G 功能描述:視頻放大器 2 Stage Diff Output Wideband Video RoHS:否制造商:ON Semiconductor 通道數量:4 電源類型: 工作電源電壓:3.3 V, 5 V 電源電流: 最小工作溫度: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TSSOP-14 封裝:Reel NE592N14 功能描述:視頻放大器 2 Stage Diff Output RoHS:否制造商:ON Semiconductor 通道數量:4 電源類型: 工作電源電壓:3.3 V, 5 V 電源電流: 最小工作溫度: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TSSOP-14 封裝:Reel NE592D8R2G 功能描述:視頻放大器 2 Stage Diff Output Wideband Video RoHS:否制造商:ON Semiconductor 通道數量:4 電源類型: 工作電源電壓:3.3 V, 5 V 電源電流: 最小工作溫度: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TSSOP-14 封裝:Reel NE651R479A-T1-A NE65W-04 NE66219-A NE66219-T1-A NE662M04-A NE662M04-EVGA09 NE662M04-EVGA09-A NE662M04-EVGA19 NE662M04-EVIP09 NE662M04-EVNF09 NE662M04-EVNF09-A NE662M04-EVNF16 NE662M04-EVNF19 NE662M04-EVNF24 NE662M04-T2-A NE663M04-A NE663M04-EVPW08 NE663M04-EVPW19