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NOSD227M004R010060

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NOSD227M004R010060 技術參數
  • NOSD227M004R0100 功能描述:220μF Niobium Oxide Capacitor 4V 2917 (7343 Metric) 100 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 電容:220μF 容差:±20% 電壓 - 額定:4V ESR(等效串聯電阻):100 毫歐 電流 - 漏泄:17.6μA 耗散因數:8% 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2917(7343 公制) 制造商尺寸代碼:D 高度 - 安裝(最大值):0.122"(3.10mm) 特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSD227M004R0060 功能描述:220μF Niobium Oxide Capacitor 4V 2917 (7343 Metric) 60 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電容:220μF 容差:±20% 電壓 - 額定:4V ESR(等效串聯電阻):60 毫歐 電流 - 漏泄:17.6μA 耗散因數:8% 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2917(7343 公制) 制造商尺寸代碼:D 高度 - 安裝(最大值):0.122"(3.10mm) 特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSD157M006R0070 功能描述:150μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2917 (7343 Metric) 70 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電容:150μF 容差:±20% 電壓 - 額定:6.3V ESR(等效串聯電阻):70 毫歐 電流 - 漏泄:18μA 耗散因數:6% 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2917(7343 公制) 制造商尺寸代碼:D 高度 - 安裝(最大值):0.122"(3.10mm) 特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSD107M006R0100 功能描述:100μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2917 (7343 Metric) 100 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電容:100μF 容差:±20% 電壓 - 額定:6.3V ESR(等效串聯電阻):100 毫歐 電流 - 漏泄:12μA 耗散因數:6% 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2917(7343 公制) 制造商尺寸代碼:D 高度 - 安裝(最大值):0.122"(3.10mm) 特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSD107M006R0080 功能描述:100μF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2917 (7343 Metric) 80 mOhm ESR 制造商:avx corporation 系列:OxiCap? NOS 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 電容:100μF 容差:±20% 電壓 - 額定:6.3V ESR(等效串聯電阻):80 毫歐 電流 - 漏泄:12μA 耗散因數:6% 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2917(7343 公制) 制造商尺寸代碼:D 高度 - 安裝(最大值):0.122"(3.10mm) 特性:低 ESR 工作溫度:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 NOSD477M002R0100 NOSD477M004R0100 NOSE227M006R0080 NOSE227M006R0100 NOSE337M004R0100 NOSE337M006R0080 NOSE337M006R0100 NOSE477M002R0100 NOSE477M004R0075 NOSE477M004R0100 NOSE687M002R0060 NOSV108M002R0050 NOSV108M002S0050 NOSV477M006R0075 NOSV477M006S0075 NOSV687M004R0075 NOSV687M004S0075 NOSW336M006R0250
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