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NP210IC

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NP210IC 技術參數
  • NP04SZB4R7N 功能描述:4.7μH Shielded Inductor 1.6A 100 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±30% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:1.8A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):100 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:27MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標準包裝:10 NP04SZB2R2N 功能描述:2.2μH Shielded Inductor 2.5A 42 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±30% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:2.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):42 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:60MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標準包裝:10 NP04SZB220M 功能描述:22μH Shielded Inductor 770mA 300 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:22μH 容差:±20% 額定電流:770mA 電流 - 飽和值:770mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):300 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:10MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標準包裝:10 NP04SZB1R0N 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 30 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±30% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):30 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:96MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標準包裝:10 NP04SZB100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 1.2A 130 mOhm Max Nonstandard 制造商:taiyo yuden 系列:NP 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:- 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:1.2A 電流 - 飽和值:1.3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):130 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:15MHz 等級:- 工作溫度:-25°C ~ 105°C 頻率 - 測試:1kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.197" 寬(5.00mm x 5.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.079"(2.00mm) 標準包裝:10 NP2600SAMCT3G NP2600SAT3G NP2600SB1T3G NP2600SBMCT3G NP2600SBT3G NP2600SC1T3G NP2600SCMCT3G NP2600SCT3G N-P30 NP3100GARLG NP3100GBRLG NP3100SAMCT3G NP3100SAT3G NP3100SBMCT3G NP3100SBT3G NP3100SC1T3G NP3100SCMCT3G NP3100SCT3G
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