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NSM21356DW6T1G

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  • 封裝
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  • NSM21356DW6T1G
    NSM21356DW6T1G

    NSM21356DW6T1G

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區 華強北賽格科技園6C18室

  • 82490

  • ON

  • SOT-363

  • 新年份

  • -
  • 一級代理全新原裝現貨特價!

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
NSM21356DW6T1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS PNP/NPN MONO BIAS SOT-363
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 3,000
  • 系列
  • -
  • 晶體管類型
  • 1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 70mA,100mA
  • 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大)
  • 50V
  • 電阻器 - 基極 (R1)(歐)
  • 47k,2.2k
  • 電阻器 - 發射極 (R2)(歐)
  • 47k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
  • 70 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)
  • 300mV @ 500µA,10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • -
  • 頻率 - 轉換
  • 100MHz,200MHz
  • 功率 - 最大
  • 250mW
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應商設備封裝
  • PG-SOT363-6
  • 包裝
  • 帶卷 (TR)
  • 其它名稱
  • SP000784046
NSM21356DW6T1G 技術參數
配單專家

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