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NUS5530MNR2G/5530

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NUS5530MNR2G/5530 技術參數
  • NUS3116MTR2G 功能描述:MOSFET OSPI QUAD BUS BUFFER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NUS3065MUTAG 功能描述:監控電路 LO PROFILE OVERVLTG PROTECT IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 監測電壓數: 監測電壓: 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 輸出類型:Active Low, Open Drain 人工復位:Resettable 監視器:No Watchdog 電池備用開關:No Backup 上電復位延遲(典型值):10 s 電源電壓-最大:5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UDFN-6 封裝:Reel NUS3046MNT1G 功能描述:MOSFET 5.5V OVP IC W/ FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube NUR460/L03,112 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態:停產 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):4A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.28V @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):65ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:150°C(最大) 基本零件編號:NUR460 標準包裝:500 NUR460/L02,112 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):4A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.28V @ 4A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):65ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD,軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:500 NUSC8WC-WH NUSC8-WH NUSH NUTINY N79E85J NUTINY-SDK-M051 NUTINY-SDK-M0516 NUTINY-SDK-MINI51 NUTINY-SDK-NANO100 NUTINY-SDK-NANO120 NUTINY-SDK-NANO130 NUTINY-SDK-NUC100 NUTINY-SDK-NUC120 NUTINY-SDK-NUC122 NUTINY-SDK-NUC123 NUTINY-SDK-NUC140 NUTINY-SDK-NUC200 NUTINY-SDK-NUC220 NUTINY-SDK-NUC240
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