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NX1612AA-26MHZ STD-CSI-1

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

NX1612AA-26MHZ STD-CSI-1
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

NX1612AA-26MHZ STD-CSI-1
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
NDK
標準封裝
16+
-
假一罰十，原裝正品

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NX1612AA-26MHZ STD-CSI-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

NX1612AA-26MHZ STD-CSI-1 PDF下載

功能描述
CRYSTAL 26.000 MHZ 8 PF SMD
RoHS
是
類別
晶體和振蕩器 >> 晶體
系列
NX1612AA
標準包裝
1
系列
ABLS2
類型
MHz 晶體
頻率
3.579545MHz
頻率穩定性
±30ppm
頻率公差
±30ppm
負載電容
18pF
ESR（等效串聯電阻）
180 歐姆
工作模式
基諧
工作溫度
-40°C ~ 85°C
額定值
-
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
HC49/US
尺寸/尺寸
0.449" L x 0.185" W（11.40mm x 4.70mm）
高度
0.130"（3.30mm）
包裝
剪切帶 (CT)
產品目錄頁面
1683 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
535-9855-1

NX1612AA-26MHZ STD-CSI-1 技術參數

NX138BKWX 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 210MA SC70 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:210mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:266mW（Ta）, 1.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SC-70 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 標準包裝:1 NX138BKSX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 210MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:210mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 200mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V 功率 - 最大值:320mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 NX138BKR 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:265mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.49nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:20.2pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:310mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 歐姆 @ 200mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 NX138AKSX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 60V 170MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:170mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 170mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V 功率 - 最大值:325mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 NX138AKR 功能描述:MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:190mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:20pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:325mW (Ta) 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 190mA, 10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 NX1BL-15T-KT9B(05) NX1BL-25T-KT3B NX1BL-25T-KT3B(05) NX1BL-25T-KT9B NX1BL-25T-KT9B(05) NX1BL-32T-KT3B NX1BL-32T-KT3B(05) NX1BL-32T-KT9B NX1BL-32T-KT9B(05) NX1P2-1040DT NX1P2-1040DT1 NX1P2-9024DT NX1P2-9024DT1 NX1W-ADB21 NX1W-CIF01 NX1W-CIF11 NX1W-CIF12 NX1W-DAB21V