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參數資料
| 型號： | 2SC4576 |
| 英文描述： | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 1.4KV五（巴西）總裁|為160mA一（c）| TO - 220AB現有 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | 2SC4576 |
2SC4500(L)/(S)
Silicon NPN Epitaxial
ADE-208-894 (Z)
1st. Edition
Sep. 2000
Application
Low frequency amplifier
Outline
4
12
3
4
3
2
1
1. Base
2. Collector
3. Emitter
4. Collector
DPAK
S Type
L Type
1
2, 4
3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC45775 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR |
| 2SC45776 | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC45777 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SOT-23VAR |
| 2SC4578B | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC4578C | TRANSISTOR | BJT | NPN | 900V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC458 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC4580-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=450 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4580-7112 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT VCEO=450 IC=8 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SC4581 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC4581-7100 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT V=450 IC=10 HFE=10 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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