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PBLS6001D.115

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PBLS6001D.115 技術參數

PBLS6001D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，700mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，60V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:2.2 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 20mA，5V / 150 @ 500mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 340mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:185MHz 功率 - 最大值:600mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 基本零件編號:PBLS6001 標準包裝:1 PBLS4005Y,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，40V 電阻器 - 基底（R1）:47 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:300MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:PBLS4005 標準包裝:1 PBLS4005V,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，40V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:300MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 PBLS4005D,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，700mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，40V 電阻器 - 基底（R1）:47 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V / 300 @ 100mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 310mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA，100nA 頻率 - 躍遷:150MHz 功率 - 最大值:600mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 基本零件編號:PBLS4005 標準包裝:1 PBLS4004Y,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA，500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，40V 電阻器 - 基底（R1）:22 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:22 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA，2V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 350mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:300MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:PBLS4004 標準包裝:1 PBLT0600 PBM0001 BK005 PBM0001 BK008 PBM0001 GR002 PBM0001 RD005 PBM0001 RD008 PBM0001 YL002 PBM0001 YL005 PBM0001 YL008 PBM0002 BK003 PBM0002 BK005 PBM0002 BK008 PBM0002 GR002 PBM0002 RD003 PBM0002 RD005 PBM0002 RD008 PBM0002 YL002 PBM0002 YL005