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PDTC114EMB

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • PDTC114EMB,315
    PDTC114EMB,315

    PDTC114EMB,315

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人:丁皓鵬

    電話:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029號(hào)南光捷佳大廈2331

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • PHA

  • SOT883

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!

  • PDTC114EMB315
    PDTC114EMB315

    PDTC114EMB315

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號(hào)星河world, A棟2203A

  • 24291

  • NXP USA Inc.

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • PDTC114EMB
    PDTC114EMB

    PDTC114EMB

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 315

  • 5000

  • 1521+

  • NXP SEMIC

  • -
  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共40條 
  • 1
PDTC114EMB PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • NPN resistor-equipped transistor; R1 = 10 k??, R2 = 10 k??
PDTC114EMB 技術(shù)參數(shù)
  • PDTC114EE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):10k 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2)(歐姆):10k 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTB123YT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):10 kOhms 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTB123ET,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):2.2 kOhms 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTB113ZT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):1 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):10 kOhms 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 50mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTA144WT,215 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP - 預(yù)偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):47 kOhms 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):22 kOhms 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PDTC114TEF,115 PDTC114TK,115 PDTC114TM,315 PDTC114TMB,315 PDTC114TS,126 PDTC114TT,215 PDTC114TT,235 PDTC114TU,115 PDTC114YE,115 PDTC114YE,135 PDTC114YEF,115 PDTC114YK,115 PDTC114YM,315 PDTC114YMB,315 PDTC114YQAZ PDTC114YS,126 PDTC114YT,215 PDTC114YTVL
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免責(zé)聲明:以上所展示的PDTC114EMB信息由會(huì)員自行提供,PDTC114EMB內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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