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PDTD113ES

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PDTD113ES
    PDTD113ES

    PDTD113ES

  • 深圳市湘達電子有限公司
    深圳市湘達電子有限公司

    聯系人：朱平

    電話：0755-83229772-83202753

    地址：辦公地址 幫我改成 深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室

  • 14486

  • PHILIPS

  • 原廠

  • 21+

  • -

  • 百分百進口原裝現貨，價格有優勢。

  • PDTD113ES
    PDTD113ES

    PDTD113ES

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • PHILIPS

  • ORIGINAL

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝特價現貨！

  • PDTD113ES
    PDTD113ES

    PDTD113ES

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質：營業執照

  • 5000

  • PHILIPS

  • 09+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • PDTD113ES
    PDTD113ES

    PDTD113ES

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 638850

  • NXP

  • TO-92

  • 最新批次

  • -

  • OEM渠道，價格超越代理！

  • PDTD113ES,126
    PDTD113ES,126

    PDTD113ES,126

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人：陳小姐

    電話：0755-8320801015711992892

    地址：都會軒3607

    資質：營業執照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • TO-92-3

  • 18+

  • -

  • Pre-Biased Bipolar T...

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
PDTD113ES PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ
PDTD113ES 技術參數
  • PDTC144WT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 電阻器 - 發射極基底（R2）:22 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23） 標準包裝:1 PDTC144WM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:Digi-Key 停止供應 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 電阻器 - 發射極基底（R2）:22 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTC144 標準包裝:1 PDTC144WE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:22k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PDTC144TM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:Digi-Key 停止供應 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:47 kOhms 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTC144 標準包裝:1 PDTC144TE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PDTD113ZUF PDTD113ZUX PDTD114EQAZ PDTD114ETR PDTD114ETVL PDTD114EUF PDTD114EUX PDTD123EK,115 PDTD123EQAZ PDTD123ES,126 PDTD123ET,215 PDTD123EUF PDTD123EUX PDTD123TK,115 PDTD123TS,126 PDTD123TT,215 PDTD123YK,115 PDTD123YQAZ
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