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PH2-LJ-P

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  • 制造商
  • Panduit Corp
  • 功能描述
PH2-LJ-P 技術參數
  • PH2925U,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):92nC @ 4.5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6150pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 毫歐 @ 25A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PH28F320W18BE60A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 32MBIT 60NS VFBGA PH2731-75L 功能描述:TRANSISTOR BIPOLAR 2.7-3.1GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):65V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:8.16dB ~ 8.86dB 功率 - 最大值:75W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):7A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:6 PH2729-25M 功能描述:TRANS BIPOLAR 25W 2.7-2.9GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:9.2dB 功率 - 最大值:70W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:6 PH2729-130M 功能描述:TRANSISTOR 130WPK 2.7-2.9GHZ 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):63V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:9.73dB ~ 8.85dB 功率 - 最大值:130W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):12.5A 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:6 PH300A28028 PH300A28028/T PH300A28048 PH300A28048/T PH300F110-12 PH300F110-15 PH300F110-2 PH300F110-24 PH300F110-28 PH300F110-3 PH300F110-5 PH300F24-12 PH300F24-28 PH300F280-12 PH300F280-15 PH300F280-2 PH300F280-24 PH300F280-28
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