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PHB145NQ06T

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PHB145NQ06T
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
D2PAK/TO-263
25+
-
國產品牌，替代進口

PHB145NQ06T
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
PH
SOT404/TO-263/D2PAK
06+07+pb-f
-
假一罰十，百分百原裝正品

PHB145NQ06T,118
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
D2PAK
18+
-
MOSFET N-CH 55V 75A ...

PHB145NQ06T
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3825
PHILIP
TO-263
06+
-
全新原裝現貨

PHB145NQ06T
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
765
PHILIP
TO-263
假一賠十！
-
絕對原裝現貨！！

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1

您是不是要找： PHB145NQ06T,118 PHB146NQ06LT,118 PHB152NQ03LTA,118 PHB153NQ08LT,118 PHB160NQ08T,118 PHB174NQ04LT,118 PHB176NQ04T,118 PHB18NQ10T,118 PHB191NQ06LT,118

PHB145NQ06T PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PHB145NQ06T 技術參數

PHB129NQ04LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44.2nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3965pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 PHB110NQ08T,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:113.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4860pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PHB110NQ06LT,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3960pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 PHB101NQ04T,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:36.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2020pF @ 25V 功率 - 最大值:157W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 PHA6UOA 功能描述:Pushbutton Switch 6PDT Standard Through Hole, Right Angle 制造商:c&k components 系列:PHA 包裝:散裝零件狀態:過期類型:標準電路:6PDT 開關功能:開-瞬時額定電流:100mA（DC）額定電壓 - AC:- 額定電壓 - DC:30V 致動器類型:帽蓋顏色 - 致動器/蓋帽:白照明類型，顏色:- 照明電壓（標稱值）:- 安裝類型:通孔，直角端子類型:PC 引腳侵入防護:- 特性:環氧樹脂密封端子面板開口尺寸:- 工作溫度:-10°C ~ 60°C 機械壽命:- 電氣壽命:10，000 次循環標準包裝:400 PHB193NQ06T,118 PHB20N06T,118 PHB20NQ20T,118 PHB21N06LT,118 PHB222NQ04LT,118 PHB225NQ04T,118 PHB23NQ10LT,118 PHB27NQ10T,118 PHB29N08T,118 PHB32N06LT,118 PHB33NQ20T,118 PHB38N02LT,118 PHB45NQ10T,118 PHB45NQ15T,118 PHB47NQ10T,118 PHB55N03LTA,118 PHB-5R0H155-R PHB-5R0H255-R