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PMBFJ210

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

PMBFJ210
深圳市奧偉斯科技有限公司
深圳市奧偉斯科技有限公司
聯(lián)系人：江小姐 ADS觸摸芯片一級(jí)代理
電話：0755-83254770
地址：深南中路3006號(hào)佳和華強(qiáng)大廈A座7樓整層
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
30000
NXP
SOT-23
18+
-
專業(yè)SMD MOS

PMBFJ210
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
5000
NXP
SOT-23
08+(ROHS)
-
假一罰十，百分百原裝正品

PMBFJ210
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
NXP
SOT-23
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共15條
1

您是不是要找： PMBFJ308,215 PMBFJ309,215 PMBFJ310,215 PMBFJ620,115 PMBS3904,215 PMBS3904,235 PMBS3906,215 PMBS3906,235 PMBT2222,215

PMBFJ210 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

PMBFJ210 PDF下載

制造商
PHILIPS
制造商全稱
NXP Semiconductors
功能描述
N-channel field-effect transistors

PMBFJ210 技術(shù)參數(shù)

PMBFJ177,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:1.5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:800mV @ 10nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）電阻 - RDS（開）:300 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ176,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:1V @ 10nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）電阻 - RDS（開）:250 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ175,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:7mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:3V @ 10nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）電阻 - RDS（開）:125 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ174,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:P 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:30V 漏源極電壓（Vdss）:30V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:20mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:5V @ 10nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:8pF @ 10V（VGS）電阻 - RDS（開）:85 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ113,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:3V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6pF @ 10V（VGS）電阻 - RDS（開）:100 歐姆安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBT2222,235 PMBT2222A,215 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235 PMBT2907A/DLTR PMBT2907A/MIGR PMBT2907A/MIGVL PMBT2907AYSX PMBT3904,215 PMBT3904,235 PMBT3904/8,215 PMBT3904M,315 PMBT3904MB,315