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PMBR920

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  • PMBR920
    PMBR920

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  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

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  • NEXPERIA/安世

  • SOT23

  • 22+

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  • PMBR920
    PMBR920

    PMBR920

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

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  • 865000

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PMBR920 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
PMBR920 技術參數
  • PMBFJ620,115 功能描述:JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):24mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):2V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5pF @ 10V 電阻 - RDS(開):50 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 功率 - 最大值:190mW 標準包裝:1 PMBFJ310,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):24mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):2V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5pF @ 10V 電阻 - RDS(開):50 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBFJ309,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):12mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):1V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5pF @ 10V 電阻 - RDS(開):50 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBFJ177,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):1.5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):800mV @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開):300 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:1 PMBFJ176,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):2mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):1V @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開):250 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:1 PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235 PMBT2907A/DLTR PMBT2907A/MIGR PMBT2907A/MIGVL PMBT2907AYSX PMBT3904,215 PMBT3904,235 PMBT3904/8,215 PMBT3904M,315 PMBT3904MB,315 PMBT3904VS,115 PMBT3904YS,115 PMBT3906,215 PMBT3906,235
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