欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > P字母型號搜索 >

PME261EC6100K

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
PME261EC6100K PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • KEMET Corporation
  • 功能描述
  • Paper PCB mount cap,100nF 300Vac, 630Vdc
  • 制造商
  • Evox Rifa / KEMET
  • 功能描述
  • 0.1UF 300VAC/630VDC
PME261EC6100K 技術參數
  • PMDXB950UPEZ 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PMDXB950UPELZ 功能描述:20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):43pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PMDXB950UPE 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-DFN(1.1x1) 標準包裝:1 PMDXB600UNEZ 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):600mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):620 毫歐 @ 600mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PMDXB600UNELZ 功能描述:20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):600mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):620 毫歐 @ 600mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PME264NE6100MR30 PME271E510MR30 PME271E522MR30 PME271E547MR30 PME271E610MR30 PME271E622KR30 PME271ED6100MR30 PME271ED6150KR30 PME271ED6220KR30 PME271M422MR30 PME271M447MR30 PME271M510MR30 PME271M522MR30 PME271M533MR30 PME271M547MR19T0 PME271M547MR30 PME271M568MR30 PME271M610MR30
配單專家

在采購PME261EC6100K進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買PME261EC6100K產品風險,建議您在購買PME261EC6100K相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的PME261EC6100K信息由會員自行提供,PME261EC6100K內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 洱源县| 左权县| 隆林| 屯门区| 沽源县| 冀州市| 天全县| 邵东县| 福州市| 巴青县| 曲周县| 米泉市| 桐庐县| 民和| 咸宁市| 大冶市| 博乐市| 木兰县| 通山县| 岳阳县| 新密市| 汉川市| 柞水县| 格尔木市| 布尔津县| 广平县| 岳普湖县| 灌南县| 盘山县| 嵊泗县| 二手房| 墨玉县| 夹江县| 原阳县| 新闻| 绥宁县| 凤翔县| 广安市| 洪洞县| 延川县| 嘉祥县|