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PME261EC6100KR30

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PME261EC6100KR30 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 薄膜電容器 630volts 0.10uF 10% LS 20.3mm
  • RoHS
  • 制造商
  • Cornell Dubilier
  • 產品類型
  • 電介質
  • Polyester
  • 電容
  • 0.047 uF
  • 容差
  • 10 %
  • 電壓額定值
  • 100 V
  • 系列
  • 225P
  • 工作溫度范圍
  • - 55 C to + 85 C
  • 端接類型
  • Radial
  • 引線間隔
  • 9.5 mm
PME261EC6100KR30 技術參數
  • PMDXB950UPEZ 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PMDXB950UPELZ 功能描述:20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):43pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PMDXB950UPE 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-DFN(1.1x1) 標準包裝:1 PMDXB600UNEZ 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):600mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):620 毫歐 @ 600mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PMDXB600UNELZ 功能描述:20 V, DUAL N-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):600mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):620 毫歐 @ 600mA,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):21.3pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PME264NE6100MR30 PME271E510MR30 PME271E522MR30 PME271E547MR30 PME271E610MR30 PME271E622KR30 PME271ED6100MR30 PME271ED6150KR30 PME271ED6220KR30 PME271M422MR30 PME271M447MR30 PME271M510MR30 PME271M522MR30 PME271M533MR30 PME271M547MR19T0 PME271M547MR30 PME271M568MR30 PME271M610MR30
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