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PME261JC5680K

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說明
操作

PME261JC5680KR30
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
Kemet
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝

PME261JC5680KR30
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百正品現貨電話010-621049...

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制造商
KEMET Corporation
功能描述

PME261JC5680K 技術參數

PME261JB5330KR30 功能描述:0.033μF Film Capacitor 500V 1000V (1kV) Paper, Metallized Radial 0.728" L x 0.307" W (18.50mm x 7.80mm) 制造商:kemet 系列:PME261 包裝:散裝零件狀態:有效電容:0.033μF 容差:±10% 額定電壓 - AC:500V 額定電壓 - DC:1000V（1kV）介電材料:紙，金屬化 ESR（等效串聯電阻）:- 工作溫度:-40°C ~ 70°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向大小/尺寸:0.728" 長 x 0.307" 寬（18.50mm x 7.80mm）高度 - 安裝（最大值）:0.531"（13.50mm）端接:PC 引腳引線間距:0.598"（15.20mm）應用:通用特性:- 標準包裝:400 PME261JB5220KR30 功能描述:0.022μF Film Capacitor 500V Paper, Metallized Radial 0.728" L x 0.287" W (18.50mm x 7.30mm) 制造商:kemet 系列:PME261 包裝:散裝零件狀態:有效電容:0.022μF 容差:±10% 額定電壓 - AC:500V 額定電壓 - DC:- 介電材料:紙，金屬化 ESR（等效串聯電阻）:- 工作溫度:-40°C ~ 100°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:徑向大小/尺寸:0.728" 長 x 0.287" 寬（18.50mm x 7.30mm）高度 - 安裝（最大值）:0.512"（13.00mm）端接:PC 引腳引線間距:0.598"（15.20mm）應用:EMI，RFI 抑制特性:- 標準包裝:400 PMDXB950UPEZ 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PMDXB950UPELZ 功能描述:20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:標準漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:380mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:DFN1010B-6 標準包裝:1 PMDXB950UPE 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchFET? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V 功率 - 最大值:265mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:6-DFN（1.1x1）標準包裝:1 PME271E522MR30 PME271E547MR30 PME271E610MR30 PME271E622KR30 PME271ED6100MR30 PME271ED6150KR30 PME271ED6220KR30 PME271M422MR30 PME271M447MR30 PME271M510MR30 PME271M522MR30 PME271M533MR30 PME271M547MR19T0 PME271M547MR30 PME271M568MR30 PME271M610MR30 PME271M615KR30 PME271M622KR30