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PMN8118UWP

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說明
操作

PMN8118UWPM
現貨
集好芯城
集好芯城
聯系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區華富路航都大廈11F
資質：營業執照
10000
FLEXPOWER
NA
22+
-
原廠原裝現貨

PMN8118UWP
深圳市湘達電子有限公司
深圳市湘達電子有限公司
聯系人：朱平
電話：0755-83229772-83202753
地址：辦公地址幫我改成深圳市福田區紅荔路上步工業區201棟東座4樓F02室
125
ERC
原廠
21+
-
百分百進口原裝現貨，價格有優勢。

PMN8118UWP
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
15
ERICSSON
TRAY
1521+
-
全新原裝現貨

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功能描述
DC/DC轉換器 0.7-3.6V 30A Non-Iso Input 5.5-14V 108W
RoHS
否
制造商
Murata
產品
輸出功率
輸入電壓范圍
3.6 V to 5.5 V
輸入電壓（標稱）
輸出端數量
1
輸出電壓（通道 1）
3.3 V
輸出電流（通道 1）
600 mA
輸出電壓（通道 2）
輸出電流（通道 2）
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體尺寸

PMN8118UWP 技術參數

PMN80XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:385mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:102 毫歐 @ 2.5A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標準包裝:1 PMN70XPX 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.1A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）, 4.46W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:88 毫歐 @ 3.1A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標準包裝:1 PMN70XPE,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:602pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標準包裝:1 PMN55LN,135 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4.1A 6TSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.1A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:65 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-74，SOT-457 供應商器件封裝:6-TSOP 標準包裝:1 PMN52XPX 功能描述:MOSFET P-CH 20V SC-74 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.7A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:763pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:530mW（Ta）, 4.46W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:62 毫歐 @ 3.7A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:6-TSOP 封裝/外殼:SC-74，SOT-457 標準包裝:1 PMNF1-5F-C PMNF1-5R-C PMNF1-5R-X PMNF2-3F-3K PMNF2-3F-C PMNF2-3R-3K PMNF2-3R-C PMNF2-3R-X PMNF2-4F-3K PMNF2-4F-C PMNF2-4R-X PMNF2-5F-C PMNF2-5R-3K PMNF2-5R-C PMNF2-5R-X PMNF2-6F-C PMNF2-6R-L PMNF2-6R-X