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PMQ-440

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PMQ-440 技術(shù)參數(shù)
  • PMPB95ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.8A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):14.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):504pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.6W(Ta),15.6W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 2.8A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB55ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):435pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.65W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):56 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB48EP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4.7A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.7A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):26nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):860pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 4.7A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB47XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):21nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1365pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.7W(Ta),12.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):58 毫歐 @ 4A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMPB45EPAX 功能描述:MOSFET P-CH 40V 6A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí),AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:P 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):36nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1260pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):15W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):43 毫歐 @ 6A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤(pán) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMR100HZPFU8L00 PMR100HZPFU9L00 PMR100HZPFV1L00 PMR100HZPFV1L50 PMR100HZPFV2L00 PMR100HZPFV3L00 PMR100HZPFV4L00 PMR100HZPJU10L PMR100HZPJU5L0 PMR100HZPJU6L0 PMR100HZPJU7L0 PMR100HZPJU8L0 PMR100HZPJU9L0 PMR100HZPJV10L PMR100HZPJV1L0 PMR100HZPJV1L5 PMR100HZPJV2L0 PMR100HZPJV2L2
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