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PMR209MB5470M100

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  • PMR209MB5470M100R30
    PMR209MB5470M100R30

    PMR209MB5470M100R30

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

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  • PMR209MB5470M100R30
    PMR209MB5470M100R30

    PMR209MB5470M100R30

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

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  • Kemet

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
PMR209MB5470M100 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • EVOX RIFA
  • 功能描述
  • CAPACITOR CLASS X2 0.047UF 100R
  • 制造商
  • Evox Rifa / KEMET
  • 功能描述
  • CAPACITOR, CLASS X2, 0.047UF, 100R
  • 制造商
  • Evox Rifa / KEMET
  • 功能描述
  • CAPACITOR, CLASS X2, 0.047UF, 100R; Voltage Rating
  • 制造商
  • KEMET Corporation
  • 功能描述
  • PMR209 PCB mount,0.047uF 100R,250Vac
PMR209MB5470M100 技術參數
  • PMR209MB5470M047R30 功能描述:RC EMI Filter 1st Order Low Pass 1 Channel R = 47 Ohms, C = 0.047μF Radial 制造商:kemet 系列:PMR209 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:低通 濾波器階數:1st 技術:RC 通道數:1 中心/截止頻率:- 衰減值:- 電阻 - 通道(歐姆):47 電流:- 數值:R = 47 歐姆,C = 0.047μF ESD 保護:無 工作溫度:-40°C ~ 85°C 應用:通用 電壓 - 額定:250VAC 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 大小/尺寸:0.728" 長 x 0.287" 寬(18.50mm x 7.30mm) 高度:0.512"(13.00mm) 標準包裝:400 PMR205AC6470M047R30 功能描述:RC EMI Filter 1st Order Low Pass 1 Channel R = 47 Ohms, C = 0.47μF Radial 制造商:kemet 系列:PMR205 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:低通 濾波器階數:1st 技術:RC 通道數:1 中心/截止頻率:- 衰減值:- 電阻 - 通道(歐姆):47 電流:- 數值:R = 47 歐姆,C = 0.47μF ESD 保護:無 工作溫度:-40°C ~ 85°C 應用:通用 電壓 - 額定:125VAC 安裝類型:通孔 封裝/外殼:徑向 大小/尺寸:0.945" 長 x 0.299" 寬(24.00mm x 7.60mm) 高度:0.551"(14.00mm) 標準包裝:250 PMR10RI 功能描述:SENS PHOTO 10M SPDT 制造商:carlo gavazzi inc. 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 感應距離:393.701"(10m) 感應方法:反射 輸出類型:- 響應時間:20ms,30ms 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊,導線引線 工作溫度:-25°C ~ 55°C 標準包裝:1 PMPB95ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 80V 2.8A SOT1220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.8A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):14.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):504pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.6W(Ta),15.6W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 2.8A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMPB55ENEAX 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4A 6DFN2020MD 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):435pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.65W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):56 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:6-DFN2020MD(2x2) 封裝/外殼:6-UDFN 裸露焊盤 標準包裝:1 PMR209MC6220M220R30 PMR209ME6470M047R30 PMR209ME6470M100R30 PMR209ME6470M220R30 PMR210MB5220M100R30 PMR210ME6100M100R30 PMR-2331 PM-R24 PM-R24-C3 PM-R24P PM-R24-R PM-R25 PM-R25-C3 PMR25HZPFU5L00 PMR25HZPFV1L00 PMR25HZPFV2L00 PMR25HZPFV3L00 PMR25HZPFV4L00
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