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PMXT4401

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PMXT4401 技術參數(shù)

PMXB75UPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 20V DFN1010D-3G 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.9A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:608pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:317mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 2.9A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMXB65UPEZ 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:12V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:634pF @ 6V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:317mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:72 毫歐 @ 3.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMXB65ENE 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:295pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 3.2A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMXB56ENZ 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A DFN1010D-3G 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:209pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 3.2A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PMXB56EN 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:209pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:400mW（Ta），8.33W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 3.2A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN1010D-3 封裝/外殼:3-XDFN 裸露焊盤標準包裝:1 PM-Y54P PM-Y64 PM-Y64P PM-Y65 PM-Y65-P PMZ1000UN,315 PMZ1200UPEYL PMZ130UNEYL PMZ200UNEYL PMZ250UN,315 PMZ270XN,315 PMZ290UNE2YL PMZ290UNEYL PMZ290UNYL PMZ320UPEYL PMZ350UPEYL PMZ350XN,315 PMZ370UNEYL