欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

<del id="6io2a"></del>

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > P字母型號搜索 >

PN03L06

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PN03L06
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
1200
INFINEON
TO-252
假一賠十！
-
絕對原裝現貨！

PN03L06
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28
資質：營業執照
6000
I
SOT-252
22+
-
十年配單，只做原裝

PN03L06
甄芯網
甄芯網
聯系人：柯先生/趙小姐
電話：0755-83665813
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907 門市部：中航路都會電子3C002B
資質：營業執照
3393
infineon
SOT-252
09+
-
誠信經營原裝現貨

1/1頁 40條/頁共11條
1

您是不是要找： PN05203 PN05205 PN05206 PN05280 PN05508 PN06480 PN06535 PN06541 PN06542

PN03L06 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PN03L06 技術參數

PMZB950UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PMZB950UPELYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 500MA 3DFN1006B 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:500mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:2.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 500mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PMZB790SN,315 功能描述:MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:650mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:940 毫歐 @ 300mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.37nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:35pF @ 30V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）標準包裝:1 PMZB670UPE,315 功能描述:MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:680mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.14nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:87pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:850 毫歐 @ 400mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:3-DFN1006B（0.6x1）封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PMZB600UNEYL 功能描述:MOSFET N-CH 20V XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:600mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:21.3pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:360mW（Ta），2.7W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:620 毫歐 @ 600mA，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PN06543 PN06580 PN06586 PN08017 PN08019 PN08027 PN08029 PN08310 PN100 PN100_D26Z PN100_D27Z PN100_D74Z PN100_D75Z PN100A PN100A_D26Z PN100A_D27Z PN100A_D74Z PN100A_D75Z