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PN1010PB-DVB-S

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PN1010PB-DVB-S 技術參數
  • PN10-10F-D 功能描述:Yellow 10 Stud Spade Terminal Connector Crimp 10-12 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝 零件狀態:有效 端子類型:標準 螺柱/凸片尺寸:10 接線柱 寬度 - 外邊緣:0.370"(9.40mm) 長度 - 總:1.040"(26.42mm) 安裝類型:自由懸掛 端接:壓接 線規:10-12 AWG 絕緣:絕緣 特性:- 顏色:黃 觸頭鍍層:錫 觸頭材料:銅 絕緣層直徑:0.225"(5.72mm) 材料 - 絕緣:聚酰胺(PA),尼龍 長度 - 環中心到端子:- 長度 - 端子:- 舌簧內開口:0.200"(5.08mm) 標準包裝:500 PMZB950UPEYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V XQFN3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta),2.7W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 500mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DFN1006B-3 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PMZB950UPELYL 功能描述:MOSFET P-CH 20V 500MA 3DFN1006B 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.2V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):43pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 歐姆 @ 500mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:3-DFN1006B(0.6x1) 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PMZB790SN,315 功能描述:MOSFET N-CH 60V SGL 3DFN 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):650mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):940 毫歐 @ 300mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1.37nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):35pF @ 30V 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-XFDFN 供應商器件封裝:3-DFN1006B(0.6x1) 標準包裝:1 PMZB670UPE,315 功能描述:MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):680mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):1.14nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):87pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):360mW(Ta),2.7W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):850 毫歐 @ 400mA,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:3-DFN1006B(0.6x1) 封裝/外殼:3-XFDFN 標準包裝:1 PN10-12R-E PN10-12R-Q PN10-14F-2K PN10-14F-D PN10-14F-L PN10-14LF-D PN10-14LF-L PN10-14R-2K PN10-14R-D PN10-14R-E PN10-14R-L PN10-14RX-L PN10-14SLF-L PN10-38R-2K PN10-38R-D PN10-38R-E PN10-38R-L PN10-38RX-L
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