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PQVICS11127N

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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PQVICS11127N 技術(shù)參數(shù)
  • PQMH9Z 功能描述:TRANS NPN/NPN RET 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:230mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN1010B-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PQMH2Z 功能描述:TRANS NPN/NPN RET 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):47 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:230mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN1010B-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PQMH13Z 功能描述:TRANS NPN/NPN RET 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):4.7 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:230mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN1010B-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PQMH11Z 功能描述:TRANS NPN/NPN RET 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):10 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):10 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):30 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:230mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN1010B-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PQMH10Z 功能描述:TRANS NPN/NPN RET 6DFN 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:2 個 NPN 預(yù)偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):2.2 千歐 電阻器 - 發(fā)射極基底(R2):47 千歐 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:350mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-XFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:DFN1010B-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PQZ6-Q48-D5-D PQZ6-Q48-S12-D PQZ6-Q48-S15-D PQZ6-Q48-S3-D PQZ6-Q48-S5-D PR PR 100A PR 150 PR 2000 PR 26M PR 28A PR 32A PR 33A PR 37AG PR 37AR PR-002A PR-002B PR01000101000JA100
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