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PSMN008-75P

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型號
供應商
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封裝
批號
價格
說明
操作

PSMN008-75P127
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
PHI
標準封裝
13+
-
全新原裝100%正品保證質量

PSMN008-75P
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
PHI
TO-220
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

PSMN008-75P
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
PH
SOT78/TO-220AB
06+07+pb-f
-
假一罰十，百分百原裝正品，質量保障

PSMN008-75P
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
NXP/恩智浦
TO220
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

PSMN008-75P,127
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
TO-220AB
18+
-
MOSFET N-CH 75V 75A ...

PSMN008-75P
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-220
25+
-
國產品牌，替代進口

PSMN008-75P
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
18250
PHI
TO-220
01+
-
全新原裝現貨

PSMN008-75P
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
15627
PHILIPS
TO220
2024+
-
絕對裝原現貨

PSMN008-75P
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
9600
SOT78/TO-220AB
PH (NXP)
17+
-
原裝正品。優勢供應

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1

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功能描述
MOSFET RAIL PWR-MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

PSMN008-75P 技術參數

PSMN008-75B,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:122.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5260pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSMN005-75B,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:165nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8250pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSMN004-60B,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:168nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8300pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSM900JB-47R 功能描述:RES 47 OHM 9W 5% RADIAL 制造商:yageo 系列:PSM 包裝:散裝零件狀態:有效電阻（歐姆）:47 容差:±5% 功率（W）:9W 成分:繞線特性:抗電弧，耐燃，防潮，安全溫度系數:- 工作溫度:-55°C ~ 350°C 封裝/外殼:徑向供應商器件封裝:- 大小/尺寸:1.496" 長 x 0.354" 寬（38.00mm x 9.00mm）高度:0.409"（10.40mm）端子數:2 標準包裝:200 PSM900JB-2R 功能描述:RES 2 OHM 9W 5% RADIAL 制造商:yageo 系列:PSM 包裝:散裝零件狀態:有效電阻（歐姆）:2 容差:±5% 功率（W）:9W 成分:繞線特性:抗電弧，耐燃，防潮，安全溫度系數:- 工作溫度:-55°C ~ 350°C 封裝/外殼:徑向供應商器件封裝:- 大小/尺寸:1.496" 長 x 0.354" 寬（38.00mm x 9.00mm）高度:0.409"（10.40mm）端子數:2 標準包裝:500 PSMN011-60MLX PSMN011-60MSX PSMN011-80YS,115 PSMN012-100YLX PSMN012-100YS,115 PSMN012-25YLC,115 PSMN012-60YS,115 PSMN012-80BS,118 PSMN012-80PS,127 PSMN013-100BS,118 PSMN013-100ES,127 PSMN013-100PS,127 PSMN013-100XS,127 PSMN013-100YSEX PSMN013-30LL,115 PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30YLC,115 PSMN013-60YLX

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