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PSMN017-30LL

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封裝
批號
價格
說明
操作

PSMN017-30LL
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
500
NXP
QFN3333
0949+
-
全新原裝現貨

PSMN017-30LL,115
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
8-DFN3333（3.3x3.3）
18+
-
MOSFET N-CH QFN3333

1/1頁 40條/頁共13條
1

您是不是要找： PSMN017-30LL,115 PSMN017-30PL,127 PSMN017-60YS,115 PSMN017-80BS,118 PSMN017-80PS,127 PSMN018-100ESFQ PSMN018-100PSFQ PSMN018-80YS,115 PSMN019-100YLX

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFETN CH30V15AQFN3333
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET,N CH,30V,15A,QFN3333
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET,N CH,30V,15A,QFN3333; Transistor Polarity

PSMN017-30LL 技術參數

PSMN017-30EL,127 功能描述:MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:32A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:552pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:47W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 PSMN017-30BL,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 32A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:32A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:552pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:47W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSMN016-100YS,115 功能描述:MOSFET N-CH LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:51A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:54nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2744pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:117W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16.3 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN016-100XS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:32.1A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:46.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2404pF @ 50V 功率 - 最大值:46.1W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:50 PSMN016-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:57A（Tj）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:49nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2404pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:148W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN020-100YS,115 PSMN020-150W,127 PSMN020-30MLCX PSMN021-100YLX PSMN022-30BL,118 PSMN022-30PL,127 PSMN023-40YLCX PSMN023-80LS,115 PSMN025-100D,118 PSMN025-80YLX PSMN026-80YS,115 PSMN027-100BS,118 PSMN027-100PS,127 PSMN027-100XS,127 PSMN028-100YS,115 PSMN030-150B,118 PSMN030-150P,127 PSMN030-60YS,115