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PSMN1R8-30BL

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PSMN1R8-30BL,118
    PSMN1R8-30BL,118

    PSMN1R8-30BL,118

    優勢
  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:馬先生

    電話:19166264056

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 23480

  • NXP

  • D2PAK

  • 全新環保批次

  • -
  • PSMN1R8-30BL
    PSMN1R8-30BL

    PSMN1R8-30BL

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT404

  • 2021+

  • -
  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • PSMN1R8-30BL
    PSMN1R8-30BL

    PSMN1R8-30BL

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • D2PAK/TO-263

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • PSMN1R8-30BL
    PSMN1R8-30BL

    PSMN1R8-30BL

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 20700

  • NXP/恩智浦

  • D2PAK

  • 22+

  • -
  • PSMN1R8-30BL
    PSMN1R8-30BL

    PSMN1R8-30BL

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • NXP

  • TO-220AB

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • PSMN1R8-30BL,118
    PSMN1R8-30BL,118

    PSMN1R8-30BL,118

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN1R8-30BL,118
    PSMN1R8-30BL,118

    PSMN1R8-30BL,118

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 30V 100A...

  • PSMN1R8-30BL
    PSMN1R8-30BL

    PSMN1R8-30BL

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 118

  • 125

  • 1521+

  • NXP SEMIC

  • -
  • DIGI-REEL?

  • 1/1頁 40條/頁 共27條 
  • 1
PSMN1R8-30BL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N-CH, 30V, 100A, D2PAK
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET, N-CH, 30V, 100A, D2PAK; Transistor Polarity
PSMN1R8-30BL 技術參數
  • PSMN1R7-60BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):137nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):9997pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):306W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PSMN1R7-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):77.9nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):5057pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散(最大值):109W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.7 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PSMN1R7-25YLDX 功能描述:PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):46.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3415pF @ 12V FET 功能:肖特基二極管(體) 功率耗散(最大值):135W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.7 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標準包裝:1 PSMN1R7-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.9 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):59nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3735pF @ 12V 功率 - 最大值:164W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供應商器件封裝:LFPAK, 電源-SO8 標準包裝:1 PSMN1R6-40YLC:115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A POWERSO8-4 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:最後搶購 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):126nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7790pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):288W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.55 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SOT-1023,4-LFPAK 標準包裝:1 PSMN2R0-30YL,115 PSMN2R0-30YLDX PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-60ES,127 PSMN2R0-60PS,127 PSMN2R0-60PSRQ PSMN2R1-40PLQ PSMN2R1-60CSJ PSMN2R2-25YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-40BS,118 PSMN2R2-40PS,127 PSMN2R4-30MLDX PSMN2R4-30YLDX PSMN2R5-30YL,115 PSMN2R5-60PLQ PSMN2R6-30YLC,115 PSMN2R6-40YS,115
配單專家

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