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PSMN2R2-30YLC,115

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型號
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批號
價格
說明
操作

PSMN2R2-30YLC,115
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
NXP/恩智浦
LFPAK56
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

PSMN2R2-30YLC,115
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
LFPAK，電源-SO8
18+
-
MOSFET N-CH 30V 100A...

PSMN2R2-30YLC,115
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
367220
NEXPERIA
con
24+
-

PSMN2R2-30YLC,115
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
100
NEXPERIA
con
24+
-
場效應管

PSMN2R2-30YLC,115
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
367220
NEXPERIA
con
24+
-

PSMN2R2-30YLC,115
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
100
NEXPERIA
con
24+
-
場效應管

PSMN2R2-30YLC,115
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

PSMN2R2-30YLC,115
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
367220
NEXPERIA
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

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PSMN2R2-30YLC,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET N-Ch 30V 2.15mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

PSMN2R2-30YLC,115 技術參數

PSMN2R2-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:39nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2542pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:106W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN2R1-40PLQ 功能描述:MOSFET N-CH 40V 150A TO-220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:150A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:87.8nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:9584pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:293W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN2R0-60PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:137nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:9997pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:338W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN2R0-60ES,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:137nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:9997pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:338W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 PSMN2R0-30YLE,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:87nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5217pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:272W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN2R7-30BL,118 PSMN2R7-30PL,127 PSMN2R8-25MLC,115 PSMN2R8-40BS,118 PSMN2R8-40PS,127 PSMN2R8-80BS,118 PSMN2R9-25YLC,115 PSMN2R9-30MLC,115 PSMN3R0-30MLC,115 PSMN3R0-30YL,115 PSMN3R0-30YLDX PSMN3R0-60BS,118 PSMN3R0-60ES,127 PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R2-25YLC,115 PSMN3R2-30YLC,115 PSMN3R3-40YS,115 PSMN3R3-60PLQ

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