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PSMN7R8-120ESQ

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

PSMN7R8-120ESQ
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
24558
NXP/恩智浦
I2PAK
22+
-

PSMN7R8-120ESQ
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
聯(lián)系人：吳經(jīng)理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT226
2021+
-
★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

PSMN7R8-120ESQ
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯(lián)系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G
9894
NXP
TO-262
14+
-
絕對公司原裝現(xiàn)貨

PSMN7R8-120ESQ
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
90000
NXP Semiconductors
TO-262-3
18+
-
MOSFET N-CH 120V 70A...

PSMN7R8-120ESQ
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
2470
NXP SEMIC
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

1/1頁 40條/頁共11條
1

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PSMN7R8-120ESQ PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PSMN7R8-120ESQ PDF下載

制造商
NXP Semiconductors
功能描述
PSMN7R8-120ES/I2PAK/RAILH// - Rail/Tube
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N-CH 120V I2PAK

PSMN7R8-120ESQ 技術參數(shù)

PSMN7R8-100PSEQ 功能描述:MOSFET N-CH 100V SIL3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tj）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:128nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7110pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:294W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN7R6-60XSQ 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:51.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:38.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2651pF @ 30V 功率 - 最大值:46W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片供應商器件封裝:TO-220F-3 標準包裝:50 PSMN7R6-60PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:92A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:38.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2651pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:149W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN7R6-60BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 60V 92A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:92A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:38.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2651pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:149W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.8 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSMN7R6-100BSEJ 功能描述:MOSFET N-CH 100V D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tj）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:128nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7110pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:296W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.6 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:1 PSMN8R5-100ESQ PSMN8R5-100PSFQ PSMN8R5-100PSQ PSMN8R5-100XSQ PSMN8R5-108ESQ PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R7-100YSFQ PSMN8R7-100YSFX PSMN8R7-80BS,118 PSMN8R7-80PS,127 PSMN9R0-25MLC,115 PSMN9R0-25YLC,115 PSMN9R0-30LL,115 PSMN9R0-30YL,115 PSMN9R1-30YL,115 PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100PS,127 PSMN9R5-100XS,127