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PSMN8R5-60YS115

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 60V 76A 4-SOT-669
PSMN8R5-60YS115 技術參數
  • PSMN8R5-60YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 76A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:76A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:39nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2370pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:106W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN8R5-108ESQ 功能描述:MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:108V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tj） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:111nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5512pF @ 50V 功率 - 最大值:263W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 PSMN8R5-100XSQ 功能描述:MOSFET N-CH 100V 49A TO-220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:49A（Tj） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5512pF @ 50V 功率 - 最大值:55W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片 供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:50 PSMN8R5-100PSQ 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tj） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:111nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5512pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:263W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN8R5-100ESQ 功能描述:MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tj） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:111nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5512pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:263W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 標準包裝:50 PSMN9R5-100BS,118 PSMN9R5-100PS,127 PSMN9R5-100XS,127 PSMN9R5-30YLC,115 PSMN9R8-30MLC,115 PSMNR90-30BL,118 PSM-N-Y PSM-O-Y PS-MP PSMP-FSBA-1000 PSMP-FSBA-1042 PSMP-FSBA-1175 PSMP-FSBA-1755 PSMP-FSBA-1970 PSMP-FSBA-2380 PSMP-FSBA-2580 PSMP-MSLD-CSB PSMP-MSLD-PCE
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