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QB2057C

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  • 制造商
  • TI
  • 制造商全稱
  • Texas Instruments
  • 功能描述
  • ADVANCED LINEAR CHARGE MANAGEMENT IC FOR SINGLE-AND TWO-CELL LITHIUM-ION AND LITHIUM-POLYMER
QB2057C 技術(shù)參數(shù)
  • QB2010A60WSTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售 類型:散熱片 冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座 形狀:矩形 長度:0.195"(4.95mm) 寬度:0.095"(2.41mm) 直徑:- 離基底高度(鰭片高度):0.060"(1.52mm) 不同溫升時功率耗散:- 不同強制氣流時的熱阻:- 自然條件下熱阻:10°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型 材料鍍層:- 標準包裝:1 QB1111A40WYTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售 類型:散熱片 冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座 形狀:矩形 長度:0.110"(2.79mm) 寬度:0.110"(2.79mm) 直徑:- 離基底高度(鰭片高度):0.040"(1.02mm) 不同溫升時功率耗散:- 不同強制氣流時的熱阻:- 自然條件下熱阻:7°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型 材料鍍層:- 標準包裝:1 QB1005A40WYTB 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售 類型:散熱片 冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座 形狀:矩形 長度:0.100"(2.54mm) 寬度:0.050"(1.27mm) 直徑:- 離基底高度(鰭片高度):0.040"(1.02mm) 不同溫升時功率耗散:- 不同強制氣流時的熱阻:- 自然條件下熱阻:13°C/W 材料:氮化鋁陶瓷型 材料鍍層:- 標準包裝:1 QB0805B40WYTD 功能描述:THERMAL CONDUCTOR Q-BRIDGE 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):在售 類型:散熱片 冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座 形狀:矩形 長度:0.080"(2.03mm) 寬度:0.050"(1.27mm) 直徑:- 離基底高度(鰭片高度):0.040"(1.02mm) 不同溫升時功率耗散:- 不同強制氣流時的熱阻:- 自然條件下熱阻:7°C/W 材料:氧化鈹陶瓷 材料鍍層:- 標準包裝:1 QB0805B40WCATD 功能描述:Heat Sink Beryllium Oxide Ceramic Heat Spreader 制造商:american technical ceramics 系列:Q-Bridge 零件狀態(tài):有效 類型:散熱片 冷卻封裝:- 接合方法:SMD 基座 形狀:矩形 長度:0.080"(2.03mm) 寬度:0.050"(1.27mm) 直徑:- 離基底高度(鰭片高度):0.040"(1.02mm) 不同溫升時功率耗散:- 不同強制氣流時的熱阻:- 自然條件下熱阻:11°C/W 材料:氧化鈹陶瓷 材料鍍層:- 標準包裝:1 QB2525A60ESTD QB2525A60WSC7 QB2525A60WSS3 QB2525A60WSTB QB2525A60WSTD QB2525B60ESC7 QB2525B60ESS3 QB2525B60ESTB QB2525B60ESTD QB2525B60WSC7 QB2525B60WSS3 QB2525B60WSTB QB2525B60WSTD QB-25LA-EA-01T QB-25LA-NQ-01T QB3725A60ESS3 QB3725A60ESTB QB3725A60ESTC
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