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RD48F4476VVUBPD

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型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

RD48F4476VVUBPD
現(xiàn)貨
集好芯城
集好芯城
聯(lián)系人：陳先生13360533550
電話：0755-838679890755-82795565
地址：深圳公司：深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6695
INTEL/英特爾
BGA
22+
-
原廠原裝現(xiàn)貨

RD48F4476VVUBPD
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
INTEL
BGA
最新批號
-
代理此型號.原裝正品現(xiàn)貨！

RD48F4476VVUBPD
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
INTEL
進口原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨
7890
-
假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁 40條/頁共5條
1

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RD48F4476VVUBPD 技術(shù)參數(shù)

RD48F4400P0VBQEJ 功能描述:IC FLASH 256MBIT SCSP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR RD48F4400P0VBQE4 功能描述:IC FLASH 512MBIT 100NS 88SCSP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 RD48F4400P0VBQE3 功能描述:IC FLASH 512MBIT 100NS 88SCSP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8）速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤其它名稱:497-5040 RD48F4400P0VBQ0A 功能描述:IC FLASH 512MBIT 85NS 88TPBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:Axcell™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ RD48F4000P0ZBQ0A 功能描述:IC FLASH 256MBIT 100NS 88TPBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ RD5-2690 RD5-4320 RD60-3 RD6127-10-9M0 RD6127-16-3M0 RD6127-6-15M0 RD6137-10-4M5 RD6137-16-1M5 RD6137-6-7M5 RD63-3-508 RD-65A RD-65B RD6CAH2600 RD7127-10-14M0 RD7127-16-5M7 RD7127-25-2M8 RD7127-36-1M0 RD7127-6-25M0