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RN1113FT

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制造商
TOSHIBA
制造商全稱
Toshiba Semiconductor
功能描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN1113FT 技術參數

RN104PJ820CS 功能描述:RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:RN 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電路類型:隔離電阻（歐姆）:82 容差:±5% 電阻器數:4 引腳數:8 每元件功率:62.5mW 溫度系數:±200ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 應用:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0804，凹面，長邊端子供應商器件封裝:804 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.039" 寬（2.00mm x 1.00mm）高度:0.020"（0.50mm）標準包裝:1 RN104PJ7R5CS 功能描述:RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:RN 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電路類型:隔離電阻（歐姆）:7.5 容差:±5% 電阻器數:4 引腳數:8 每元件功率:62.5mW 溫度系數:±200ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 應用:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0804，凹面，長邊端子供應商器件封裝:804 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.039" 寬（2.00mm x 1.00mm）高度:0.020"（0.50mm）標準包裝:1 RN104PJ750CS 功能描述:RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:RN 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電路類型:隔離電阻（歐姆）:75 容差:±5% 電阻器數:4 引腳數:8 每元件功率:62.5mW 溫度系數:±200ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 應用:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0804，凹面，長邊端子供應商器件封裝:804 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.039" 寬（2.00mm x 1.00mm）高度:0.020"（0.50mm）標準包裝:1 RN104PJ620CS 功能描述:RES ARRAY 4 RES 62 OHM 0804 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:RN 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電路類型:隔離電阻（歐姆）:62 容差:±5% 電阻器數:4 引腳數:8 每元件功率:62.5mW 溫度系數:±200ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 應用:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0804，凹面，長邊端子供應商器件封裝:804 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.039" 寬（2.00mm x 1.00mm）高度:0.020"（0.50mm）標準包裝:1 RN104PJ472CS 功能描述:RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 0804 制造商:samsung electro-mechanics america, inc. 系列:RN 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電路類型:隔離電阻（歐姆）:4.7k 容差:±5% 電阻器數:4 引腳數:8 每元件功率:62.5mW 溫度系數:±200ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 應用:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:0804，凹面，長邊端子供應商器件封裝:804 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.039" 寬（2.00mm x 1.00mm）高度:0.020"（0.50mm）標準包裝:1 RN1118(T5L,F,T) RN1118MFV,L3F RN1119MFV,L3F RN111PC RN112-0.4-02 RN112-0.4-02-27M RN112-0.4-02-39M RN112-0.5-02 RN112-0.5-02-15M RN112-0.5-02-18M RN112-0.5-02-27M RN112-0.6-02 RN112-0.6-02-15M RN112-0.8-02 RN112-0.8-02-10M RN112-1.2-02 RN112-1.2-02-6M8 RN112-1.5-02