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RN80532KC0411M

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  • 制造商
  • Intel
  • 功能描述
  • MPU XEON NETBURST 64-BIT 0.13UM 2GHZ - Trays
RN80532KC0411M 技術參數
  • RN73C2A9K76BTDF 功能描述:RES SMD 9.76KOHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73,Holsworthy 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電阻(歐姆):9.76k 容差:±0.1% 功率(W):0.1W,1/10W 成分:薄膜 特性:- 溫度系數:±10ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:0805(2012 公制) 供應商器件封裝:805 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子數:2 標準包裝:1 RN73C2A9K53BTDF 功能描述:RES SMD 9.53KOHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73,Holsworthy 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電阻(歐姆):9.53k 容差:±0.1% 功率(W):0.1W,1/10W 成分:薄膜 特性:- 溫度系數:±10ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:0805(2012 公制) 供應商器件封裝:805 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子數:2 標準包裝:1 RN73C2A9K31BTDF 功能描述:RES SMD 9.31KOHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73,Holsworthy 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電阻(歐姆):9.31k 容差:±0.1% 功率(W):0.1W,1/10W 成分:薄膜 特性:- 溫度系數:±10ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:0805(2012 公制) 供應商器件封裝:805 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子數:2 標準包裝:1 RN73C2A9K09BTDF 功能描述:RES SMD 9.09KOHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73,Holsworthy 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電阻(歐姆):9.09k 容差:±0.1% 功率(W):0.1W,1/10W 成分:薄膜 特性:- 溫度系數:±10ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:0805(2012 公制) 供應商器件封裝:805 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子數:2 標準包裝:1 RN73C2A97R6BTDF 功能描述:RES SMD 97.6 OHM 0.1% 1/10W 0805 制造商:te connectivity amp connectors 系列:RN73,Holsworthy 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電阻(歐姆):97.6 容差:±0.1% 功率(W):0.1W,1/10W 成分:薄膜 特性:- 溫度系數:±10ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:0805(2012 公制) 供應商器件封裝:805 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm) 高度:0.026"(0.65mm) 端子數:2 標準包裝:1 RNA4A8E121JT RNA4A8E122JT RNA4A8E130JT RNA4A8E151JT RNA4A8E153JT RNA4A8E154JT RNA4A8E163JT RNA4A8E181JT RNA4A8E183JT RNA4A8E202JT RNA4A8E203JT RNA4A8E220JT RNA4A8E221JT RNA4A8E222JT RNA4A8E223JT RNA4A8E224JT RNA4A8E242JT RNA4A8E270JT
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