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SCT3855EX

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  • 制造商
  • 3M
  • 制造商全稱
  • 3M Electronics
  • 功能描述
  • Privacy Solution to Protect Confidential Information
SCT3855EX 技術參數
  • SCT30N120 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 20A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA(標準) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):105nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1700pF @ 400V 功率 - 最大值:270W 工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:HiP247? 標準包裝:30 SCT20N120 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):290 毫歐 @ 10A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):650pF @ 400V 功率 - 最大值:175W 工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:HiP247? 標準包裝:30 SCT10N120 功能描述:MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:新產品 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):* 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):* 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):* 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:HiP247? 標準包裝:30 SCT1/0-1/0 功能描述:CONN T-SPLICE TAP 1/0 AWG CRIMP 制造商:panduit corp 系列:Pan-Lug? 包裝:散裝 零件狀態:在售 端子類型:T 接頭,凸片 進線數:3 端接:壓接 線規:1/0 AWG 絕緣:非絕緣 特性:- 顏色:- 標準包裝:1 SCSS6-L 功能描述:CONN BUTT SPLICE 6 AWG CRIMP 制造商:panduit corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 端子類型:對接接頭,直插式,單獨開口 進線數:2 端接:壓接 線規:6 AWG 絕緣:非絕緣 特性:- 顏色:藍色 標準包裝:1 SCT48 SCT48/R SCT500-4/0 SCT500-500 SCT50N120 SCT601NONROHS SCT62 SCT63 SCT64 SCT65 SCT66 SCT67 SCT68 SC-T8J SC-T8J-P SCTH2010-100 SCTH2010-150 SCTH2010-1R0
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