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SD12CT1G(PB)

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SD12CT1G(PB) 技術參數

SD1275-01 功能描述:TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M113 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:16V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:9dB 功率 - 最大值:70W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 250mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:M113 供應商器件封裝:M113 標準包裝:25 SD1275 功能描述:TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M135 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:16V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:9dB 功率 - 最大值:70W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 250mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:M135 供應商器件封裝:M135 標準包裝:40 SD1274-01 功能描述:TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M113 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:16V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:10dB 功率 - 最大值:70W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 250mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:M113 供應商器件封裝:M113 標準包裝:25 SD1274 功能描述:TRANS NPN RF MICROWAVE VHF M135 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:16V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:10dB 功率 - 最大值:70W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 250mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:M135 供應商器件封裝:M135 標準包裝:40 SD125SCU100A.T 功能描述:PIV 100V IO 15A CHIP SIZE 125MIL 制造商:smc diode solutions 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:20 SD-130 SD130EVK SD-130J SD130L SD130PA SD131EVK SD-136-G-2 SD138-11-31-211 SD1405 SD1410-001 SD1410-001L SD1410-002 SD1410-002L SD1410-003 SD1410-003L SD1410-004 SD1410-004L SD14-100-R