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SD56120C

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  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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SD56120C PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 射頻MOSFET電源晶體管 RF Power LDMOS Transistor
  • RoHS
  • 制造商
  • Freescale Semiconductor
  • 配置
  • Single
  • 晶體管極性
  • 頻率
  • 1800 MHz to 2000 MHz
  • 增益
  • 27 dB
  • 輸出功率
  • 100 W
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 漏極連續電流
  • 閘/源擊穿電壓
  • 最大工作溫度
  • 封裝 / 箱體
  • NI-780-4
  • 封裝
  • Tray
SD56120C 技術參數
  • SD56120 功能描述:FET RF 65V 860MHZ M246 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:860MHz 增益:16dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:14A 噪聲系數:- 電流 - 測試:400mA 功率 - 輸出:100W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:M246 供應商器件封裝:M246 標準包裝:20 SD5610-001 功能描述:DETECTR OPTOSCHMITT TO-46 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:- 零件狀態:有效 波長:935nm 類型:光電探測器 - 邏輯輸出 輸出類型:開路集電極 封裝/外殼:TO-46-3 透鏡頂部金屬罐 工作溫度:-40°C ~ 100°C(TA) 標準包裝:1 SD560CTR 功能描述:DIODE GEN PURP 60V 5A SMC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 電流 - 平均整流(Io):5A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):750mV @ 5A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2mA @ 60V 不同?Vr,F 時的電容:550pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AB,SMC 供應商器件封裝:SMC 工作溫度 - 結:-55°C ~ 125°C 標準包裝:1 SD560BTR 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 5A SMB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):5A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 5A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:9μA @ 600V 不同?Vr,F 時的電容:50pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商器件封裝:SMB(DO-214AA) 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 SD5600-001 功能描述:PHOTODETECTOR SCHMITT TO-46 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:- 零件狀態:有效 波長:935nm 類型:光電探測器 - 邏輯輸出 輸出類型:開路集電極 封裝/外殼:TO-46-3 透鏡頂部金屬罐 工作溫度:-40°C ~ 100°C(TA) 標準包裝:1 SD57045-01 SD57060 SD57060-01 SD57060-10 SD57120 S-D-5AS SD-60 SD600N25PC SD6020-100-R SD6020-101-R SD6020-120-R SD6020-150-R SD6020-180-R SD6020-220-R SD6020-270-R SD6020-2R2-R SD6020-330-R SD6020-390-R
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