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SID200N12

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制造商
SIRECTIFIER
制造商全稱
Sirectifier Semiconductors
功能描述
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBTs),NPT技術的IGBT模塊NPT IGBT Modules (None Punch Through Technology).

SID200N12 技術參數

SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售技術:磁耦合通道數:1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態抗擾度（最小值）:- 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脈寬失真（最大）:- 上升/下降時間（典型值）:90ns，81ns 電流 - 輸出高，低:3.6A，4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 寬），15 引線供應商器件封裝:eSOP-R16B 標準包裝:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:管件零件狀態:在售技術:磁耦合通道數:1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態抗擾度（最小值）:- 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脈寬失真（最大）:- 上升/下降時間（典型值）:90ns，81ns 電流 - 輸出高，低:3.6A，4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 寬），15 引線供應商器件封裝:eSOP-R16B 標準包裝:48 SID1152K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售技術:磁耦合通道數:1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態抗擾度（最小值）:- 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脈寬失真（最大）:- 上升/下降時間（典型值）:225ns，225ns（最大）電流 - 輸出高，低:2.4A，2.6A 電流 - 峰值輸出:5A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 寬），15 引線供應商器件封裝:eSOP-R16B 標準包裝:1 SIDC03D120H6X1SA3 SIDC03D60C6 SIDC03D60C6X1SA2 SIDC03D60F6 SIDC03D60F6X1SA2 SIDC04D60F6 SIDC04D60F6X1SA3 SIDC05D60C6 SIDC05D60C6X1SA2 SIDC06D120E6 SIDC06D120E6X1SA3 SIDC06D120F6 SIDC06D120F6X1SA2 SIDC06D120H6 SIDC06D120H6X1SA4 SIDC06D60AC6 SIDC06D60AC6X1SA1 SIDC06D60C6