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SIRE9D

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說明
操作

SIRE9D
北京杰創(chuàng)宏達電子有限公司
北京杰創(chuàng)宏達電子有限公司
聯(lián)系人：沈小姐/伊小姐/張先生
電話：010-61190909
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊26號悅MOMA701室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
20
PICO
高壓電源
25+
-
授權(quán)代理商

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1

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SIRE9D PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

SIRE9D 技術(shù)參數(shù)

SIR928-6C-F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 100mA 40° Radial 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:紅外線電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:- 波長:875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:40° 朝向:側(cè)視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔，直角封裝/外殼:徑向標準包裝:1,000 SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類型:紅外線電流 - DC 正向（If）:65mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:0.5mW/sr @ 20mA 波長:875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:120° 朝向:通用工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，J 形引線標準包裝:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波長:950nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:30° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:18mW/sr @ 50mA 波長:850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.6V 視角:26° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時的輻射強度（Ie）（最小值）:9mW/sr @ 50mA 波長:940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.34V 視角:30° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類型:通孔封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIS322DNT-T1-GE3 SIS330DN-T1-GE3 SIS334DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 SIS406DN-T1-GE3 SIS407ADN-T1-GE3 SIS407DN-T1-GE3 SIS410DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 SIS413DN-T1-GE3 SIS414DN-T1-GE3 SIS415DNT-T1-GE3 SIS424DN-T1-GE3 SIS426DN-T1-GE3 SIS427EDN-T1-GE3 SIS429DNT-T1-GE3 SIS430DN-T1-GE3 SIS434DN-T1-GE3