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SN74VC1G3157DCKR

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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    聯(lián)系人:劉先生

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    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

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SN74VC1G3157DCKR 技術(shù)參數(shù)
  • SN74V3690-7PEU 功能描述:先進(jìn)先出 32768 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:18 bit 總線(xiàn)定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類(lèi)型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: SN74V3690-6PEU 功能描述:先進(jìn)先出 32768 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:18 bit 總線(xiàn)定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類(lèi)型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: SN74V3690-15PEU 功能描述:先進(jìn)先出 32768 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:18 bit 總線(xiàn)定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類(lèi)型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: SN74V3690-10PEU 功能描述:先進(jìn)先出 32768 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:18 bit 總線(xiàn)定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類(lèi)型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: SN74V3680-7PEU 功能描述:先進(jìn)先出 16384 x 36 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:18 bit 總線(xiàn)定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類(lèi)型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問(wèn)時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝: SN75107ADR SN75107AN SN75107ANE4 SN75107ANG4 SN75107ANSR SN75107BD SN75107BDG4 SN75107BDR SN75107BDRE4 SN75107BDRG4 SN75107BN SN75107BNSR SN75108AD SN75108ADG4 SN75108ADR SN75110AD SN75110ADG4 SN75110ADR
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