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SN75469NS

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SN75469NS 技術參數

SN75469N 功能描述:TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A DIP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:16-PDIP 標準包裝:25 SN75469DR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SOIC 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:1 SN75469D 功能描述:TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:40 SN75468NSR 功能描述:TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-SOIC（0.209"，5.30mm 寬）供應商器件封裝:16-SO 標準包裝:1 SN75468N 功能描述:TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A DIP 制造商:texas instruments 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:7 NPN 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 500μA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:16-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:16-PDIP 標準包裝:25 SN75477D SN75477DE4 SN75477DG4 SN75477DR SN75477DRE4 SN75477P SN75477PE4 SN75477PG4 SN75478P SN75970B1DL SN75970B1DLR SN75970B1DLRG4 SN75970B2DGG SN75970B2DGGR SN75970B2DGGRG4 SN75970B2DL SN75970B2DLR SN75970B2DLRG4