欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置:買賣IC網 > S字母型號搜索 >

STB-16X200

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作

沒找到與 " STB-16X200 " 相關的供應商

您可以:

1. 縮短或修改您的搜索詞,重新搜索

2. 發布緊急采購,3分鐘左右您將得到回復 發布緊急采購

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
STB-16X200 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STB-16X200 技術參數
  • STB16PF06LT4 功能描述:MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):630pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB16NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 15A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):260 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):38nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1200pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB16NK65Z-S 功能描述:MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 毫歐 @ 6.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):89nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2750pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:1,000 STB16NF06LT4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):345pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB16N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):299 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1250pF @ 100V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB18NF25 STB18NF30 STB18NM60N STB18NM60ND STB18NM80 STB190NF04T4 STB19NF20 STB19NM65N STB200N4F3 STB200N6F3 STB200NF03T4 STB200NF04-1 STB200NF04L STB200NF04L-1 STB200NF04T4 STB20100CTR STB20100TR STB20150CTR
配單專家

在采購STB-16X200進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規避購買STB-16X200產品風險,建議您在購買STB-16X200相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的STB-16X200信息由會員自行提供,STB-16X200內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板: 温宿县| 神农架林区| 千阳县| 临高县| 西青区| 彭水| 巴青县| 原阳县| 清远市| 九龙县| 济宁市| 赤壁市| 荣成市| 巧家县| 浦县| 阜平县| 南阳市| 乐都县| 信阳市| 千阳县| 奇台县| 许昌县| 南阳市| 黔江区| 喀什市| 棋牌| 永年县| 光山县| 青阳县| 连平县| 昭觉县| 陵水| 楚雄市| 观塘区| 宽甸| 珲春市| 巴林左旗| 梓潼县| 屏东市| 齐河县| 双江|