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STB130NS04ZBT4

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STB130NS04ZBT4
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯(lián)系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
25000
ST
TO-263
2025+
-
絕對現(xiàn)貨

STB130NS04ZBT4
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
ST
TO-263
最新批號
-
一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

STB130NS04ZBT4
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
23479
STMicroelectronics
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

STB130NS04ZBT4
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
5000
ST
柜臺部分現(xiàn)貨
D2PAK
-
假一罰十，百分百原裝正品

STB130NS04ZBT4
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
D2PAK
18+
-
MOSFET N-CH 33V 80A ...

STB130NS04ZBT4
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3526
ST
D2PAK
14+
-
原裝正品，現(xiàn)貨庫存，400-800-03...

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功能描述
MOSFET N Ch CLAMPED 8mOhm 80A
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STB130NS04ZBT4 技術(shù)參數(shù)

STB130N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A F7 D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:42nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2600pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB13007DT4 功能描述:TRANS NPN 400V 8A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:3V @ 1A，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:8 @ 5A，5V 功率 - 最大值:80W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB13005-1 功能描述:TRANS NPN 400V 4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 1A，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:8 @ 2A，5V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STB12NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:410 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:960pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB12NM50T4 功能描述:MOSFET N-CH 550V 12A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:350 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB141NF55 STB141NF55-1 STB14N80K5 STB14NK50Z-1 STB14NK50ZT4 STB14NK60ZT4 STB14NM50N STB14NM65N STB150N3LH6 STB150NF04 STB150NF55T4 STB15100CTR STB15100TR STB15150TR STB15200TR STB155N3H6 STB155N3LH6 STB1560TR