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STB3NB60T4

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操作

STB3NB60T4
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
TO-263
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STB3NB60T4
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ST
TO-263
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STB3NB60T4
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
10000
ST
TO-263
22+
-
終端免費提供樣品可開13%增值稅發票

STB3NB60T4
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
9000
ST
TO-263
假一賠十！！
-
絕對原裝現貨！

STB3NB60T4
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
ST
NULL
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

STB3NB60T4
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
45000
ST
TO-263
03+
-
全新原裝現貨

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1

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功能描述
MOSFET N-Ch 600 Volt 3 Amp
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STB3NB60T4 技術參數

STB3N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 1.4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:385pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB38N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:95 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB37N60DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 28A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB36NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:29A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 14.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2785pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB36NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:29A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:105 毫歐 @ 14.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:83.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2722pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB40NS15T4 STB42N60M2-EP STB42N65M5 STB43N60DM2 STB43N65M5 STB45N40DM2AG STB45N50DM2AG STB45N60DM2AG STB45N65M5 STB45NF06 STB45NF06T4 STB46N30M5 STB46NF30 STB4N62K3 STB4NK60Z-1 STB4NK60ZT4 STB50N25M5 STB50NE10T4

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