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STD10NF10T4LF

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    STD10NF10T4LF

    STD10NF10T4LF

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:譚玉麗

    電話:19129491949(手機優先微信同號)0755-83267816

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 5000

  • STM

  • ROHS

  • 13+

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  • 1
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STD10NF10T4LF 技術參數
  • STD10NF10T4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 13A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):13A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):460pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD10N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):600 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD10N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):530 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):529pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD1060TR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V DPAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:肖特基 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):60V 電流 - 平均整流(Io):- 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):650mV @ 10A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:850μA @ 60V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 STD105N10F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):61nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4369pF @ 50V 功率 - 最大值:120W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD110N02RT4G STD110N02RT4G-VF01 STD110N8F6 STD110NH02LT4 STD11N50M2 STD11N60DM2 STD11N60M2-EP STD11N65M2 STD11N65M5 STD11NM50N STD11NM60N STD11NM60N-1 STD11NM60ND STD11NM65N STD120N4F6 STD120N4LF6 STD12100TR STD127DT4
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