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STD200A

配單專家企業名單
  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
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STD200A PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 可復位保險絲 -
  • RoHS
  • 制造商
  • Bourns
  • 電流額定值
  • 電阻
  • 7.5 Ohms
  • 最大直流電壓
  • 保持電流
  • 0.1 A
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 端接類型
  • SMD/SMT
  • 跳閘電流
  • 0.6 A
  • 引線間隔
  • 系列
  • MF-PSHT
  • 工作溫度范圍
  • - 40 C to + 125 C
STD200A 技術參數
  • STD1NK80ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 800V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):160pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD1NK80Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 800V 1A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):160pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STD1NK60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):156pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD1NK60-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):156pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STD1HNC60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):228pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD21W-1 STD21W-2 STD21W-3 STD21W-4 STD21W-5 STD21W-6 STD21W-7 STD21W-8 STD21W-9 STD21W-A STD21W-B STD21W-C STD21W-D STD21W-E STD21W-F STD21W-G STD21W-H STD21W-I
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