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STD430BLK

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
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  • 1
STD430BLK PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • LED 安裝硬件 .2" DIA X .43" BLACK
  • RoHS
  • 制造商
  • Bivar
  • 產品
  • LED Mounting Clips
  • LED 大小
  • 5 mm
  • 材料
  • Nylon
  • 顏色
  • Black
  • 主體長度
  • 4.4 mm
  • 面板厚度尺寸
  • 封裝
  • Bulk
STD430BLK 技術參數
  • STD40NF3LLT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1650pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD40NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):62nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2180pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD40N2LH5 功能描述:MOSFET N-CH 25V 40A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.8 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.3nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):700pF @ 20V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD3PK50Z 功能描述:MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4 歐姆 @ 1.4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):620pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD3NM60T4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):324pF @ 25V 功率 - 最大值:42W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD4N62K3 STD4N80K5 STD4N90K5 STD4NK100Z STD4NK50Z-1 STD4NK50ZD STD4NK50ZD-1 STD4NK50ZT4 STD4NK60Z-1 STD4NK60ZT4 STD4NK80Z-1 STD4NK80ZT4 STD4NS25T4 STD50N03L STD50N03L-1 STD50NH02L-1 STD50NH02LT4 STD5100CTR
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